更新時間：2023-08-18
光侵入式熱電制冷特點在2-14μm范圍具有良好的性能；無須LN（液氮）制冷；快速響應；使用方便；與快速元器件*兼容；動態范圍寬；小巧，耐用可靠；低成本；及時交貨；可按客戶要求設計
光侵入式熱電制冷簡介：
PCI-2TE-n （n表示佳特性波長，單位是微米）系列光電探測器是兩級的TE-制冷式紅外光電探測器。用高折射率的GaAs 或 CdZnTe 半球透鏡(標準)或過半球透鏡（可選）進行光照入。這些設備在2～14µm范圍內的任意值可以優化為高性能。他們的高性能和穩定性可以通過近開發的間隙（Hg，Cd，Zn）Te半導體優化摻雜面和改進的表面處理來獲得。標準可以供貨的探測器是帶BaF2視窗，并采用改進的TO-8封裝。其他的封裝和視窗可以按需求供貨。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、特定封裝、連接器視窗和光濾波器。
光侵入式熱電制冷技術規格
| 特性（@ 20ºC） | 單位 | LD-PCI-2TE-4 | LD-PCI-2TE-5 | LD-PCI-2TE-6 | LD-PCI-2TE-9 | LD-PCI-2TE-10.6 | LD-PCI-2TE-12 | |
| 特性波長λop | µm | 4 | 5 | 6 | 9 | 10.6 | 12 | |
| 探測率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz | cmHz1/2/W | >6E11 >4E10 | >4E10 >2E10 | >2E10 >1E10 | >1E10 >4E9 | >3.5E9 >1.4E9 | >1E9 >4.5E8 | |
| 響應度- atλop1x1 mm | Vmm/W | >6000 | >3000 | >600 | >40 | >25 | >15 | |
| 響應時間τ | ns | <4000 | <2000 | <1000 | <20 | <10 | <2 | |
| 1/f噪聲拐點頻率 | kHz | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | 1-20 | |
| 有效面積, (長×寬) | mm×mm | 0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2; | ||||||
| 偏置電流-寬度比* | mA/mm | 0.05－0.3 | 0.1－0.5 | 0.3－0.8 | 2－5 | 5－20 | 5－20 | |
| 薄層電阻系數 | Ω/sqr | 600-1500 | 300-500 | 200-400 | 50-200 | 50-150 | 50-150 | |
| 視場, F# | deg | 35, 1.65 | ||||||
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